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CPH6341-TL-E	文件：515.21 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：515.21 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
CPH6347	文件：320.97 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Switching Device 文件：320.97 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
CPH6347_11	文件：320.97 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Switching Device 文件：320.97 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
CPH6347_12	文件：539.93 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：539.93 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
CPH6347-TL-H	文件：539.93 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：539.93 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
CPH6341	文件：300 bytes Page：1 Pages	P 沟道，功率 MOSFET，-30V，-5A，59mΩ CPH6341 is a P-Channel Power MOSFET, -30V, -5A, 59mΩ, Single CPH6 for general purpose switching applications. • Low ON resistance\n• 4.0 V gate drive\n• High-speed switching\n• Protection diode in;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
CPH6347	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 P 沟道，功率 MOSFET，-20V，-6A，39mΩ CPH6347 is a Power MOSFET, -20V, 39mΩ, -6A, Single P-Channel for general purpose switching applications. • Low Gate Drive Voltage\n• Drive at low voltage\n• ESD Diode - Protected Gate\n• ESD resistance\n• RoHS Compliance\n• Environmental consideration;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
CPH6340	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
CPH6341-M-TL-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-23-6；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET P-CH 30V 5A CPH6	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
CPH6341-M-TL-W	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET P-CH 30V 5A CPH6	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
CPH634
功能描述：
MOSFET SWITCHING DEVICE
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CPH634供应商更新时间2025-12-25 16:07:00

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