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CPH6355	文件：403.53 Kbytes Page：5 Pages	Single P-Channel Power MOSFET Features • ON-resistance RDS(on)1=130mΩ(typ.) • 4V drive • Halogen free compliance 文件：403.53 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
CPH6355	文件：407.25 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Switching Device Applications Features • ON-resistance RDS(on)1=130mΩ(typ.) • 4V drive • Halogen free compliance 文件：407.25 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
CPH6355	文件：300 bytes Page：1 Pages	Single P-Channel Power MOSFET, -30V, -3A, 169mΩ CPH6355 is a Power MOSFET, -30V, 169mΩ, -3A, Single P-Channel for General-Purpose Switching Device Application. Low On-Resistance\nImproves Efficiency by Reducing Conduction Losses. Reduces Heat Dissipation\nLow Capacitance\nMinimize Switching Losses\nRoHS Compliance\nEnvironmental Consideration\n4V Drive;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
CPH6355-TL-H	文件：403.53 Kbytes Page：5 Pages	Single P-Channel Power MOSFET Features • ON-resistance RDS(on)1=130mΩ(typ.) • 4V drive • Halogen free compliance 文件：403.53 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
CPH6355-TL-W	文件：403.53 Kbytes Page：5 Pages	Single P-Channel Power MOSFET Features • ON-resistance RDS(on)1=130mΩ(typ.) • 4V drive • Halogen free compliance 文件：403.53 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
CPH6355_12	文件：534.04 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：534.04 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
CPH6355-TL-H	文件：534.04 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：534.04 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO

技术参数

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
Single P-Channel Power MOSFET
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-35
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.6
ID Max (A)：
-3
PD Max (W)：
1.6
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
276
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
169
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
3.9
Ciss Typ (pF)：
172
Package Type：
CPH-6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CPH6355供应商更新时间2025-10-4 10:59:00

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