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CPH6445	文件：734.16 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFET Features • 4V drive • Low ON-resistance • Protection diode in 文件：734.16 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
CPH6445	文件：282.83 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Silicon MOSFET Features • 4V drive • Low ON-resistance • Protection diode in 文件：282.83 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
CPH6445	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Power MOSFET, 60V, 3.5A, 117mΩ CPH6445 is N-Channel Power MOSFET, 60V, 3.5A, 117mΩ, Single CPH6 for General-Purpose Switching Device Application. • Low RDS(on)\n• Minimize conduction loss\n• ESD Diode - Protected Gate\n• ESD resistance\n• RoHS Compliance\n• Environmental consideration\n• 4V drive;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
CPH6445-TL-E	文件：734.16 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFET Features • 4V drive • Low ON-resistance • Protection diode in 文件：734.16 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
CPH6445-TL-W	文件：734.16 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFET Features • 4V drive • Low ON-resistance • Protection diode in 文件：734.16 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
CPH6445_12	文件：541.73 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：541.73 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
CPH6445-TL-E	文件：541.73 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：541.73 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.6
ID Max (A)：
3.5
PD Max (W)：
1.6
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
168
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
117
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
26
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
6.8
Ciss Typ (pF)：
310
Package Type：
CPH-6

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