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CP701

Small Signal Transistors PNP - High Voltage Transistor Chip

PROCESS DETAILS Process EPITAXIAL PLANAR Die Size 26 x 26 MILS Die Thickness 9.0 MILS Base Bonding Pad Area 6.1 x 4.9 MILS Emitter Bonding Pad Area 5.2 x 5.2 MILS Top Side Metalization Al - 30,000Å Back Side Metalization Au - 18,000Å

文件:68.71 Kbytes 页数:1 Pages

CENTRAL

CP701

Small Signal Transistors PNP - High Voltage Transistor Chip

Central

CP70137

PELTIER MODULE

DESCRIPTION: PELTIER MODULE FEATURES • arcTEC™ structure on select models • solid state device • precise temperature control • quiet operation

文件:723.27 Kbytes 页数:8 Pages

CUI

CP701-2N5416-CT

P-Channel JFET Die

文件:465.81 Kbytes 页数:9 Pages

CENTRAL

CP701-2N5416-CT

PNP - High Voltage Transistor Die

文件:530.8 Kbytes 页数:9 Pages

CENTRAL

CP70137

PELTIER MODULE

文件:724.2 Kbytes 页数:8 Pages

CUI

CP701-2N5416

Chip Form: High Voltage Transistor

Central

CP70137

包装:散装 类别:风扇,热管理 热 - 热电、Peltier 模块 描述:PELTIER, 15 X 15 X 3.8 MM, 7 A,

CUID

晶体管资料

  • 型号:

    CP701

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    射频/高频放大 (HF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    5A

  • 最大工作频率:

    40MHZ

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    15W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    60

  • htest:

    40000000

  • atest:

    5

  • wtest:

    15

技术参数

  • Case:

    Chip_Packaging

  • Configuration/ Description:

    Bare die 26.000 X 26.000

  • Polarity:

    PNP

  • IC MAX:

    1A

  • PD MAX:

    1W

  • VCEO MAX:

    300V

  • hFE MIN:

    30

  • hFE MAX:

    120

  • @VCE:

    10V

  • VCE(SAT) MAX:

    2V

  • @IC:

    50mA

  • @IB:

    5mA

  • Cob MAX:

    15pF

  • fT MIN:

    15MHz

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更多CP701供应商 更新时间2026-1-16 16:50:00