PNP - Silicon RF Transistor Die 50mA, 20 Volt

The CP681 is a silicon PNP RF transistor designed for general purpose RF amplifi er and mixer applications. MECHANICAL SPECIFICATIONS: Die Size 15 x 15 MILS Die Thickness 7.9 MILS Base Bonding Pad Area 2.3 MIL DIAMETER Emitter Bonding Pad Area 2.3 MIL DIAMETER Top Side Metaliz

文件：620.53 Kbytes 页数：2 Pages

CENTRAL

PNP - Silicon RF Transistor Die 50mA, 20 Volt

Central

20V,50mA,225mW Bare die,15.000 X 15.000 mils,Transistor-Small Signal (<=1A)

Central

Chip Form: RF PNP Transistor

Central

Package：模具；包装：带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 描述：RF TRANS PNP 20V 600MHZ DIE

CENTRAL

Package：模具；包装：带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 描述：RF TRANS PNP 20V 600MHZ DIE

CENTRAL

Package：模具；包装：带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 描述：RF TRANS PNP 20V 600MHZ DIE

CENTRAL