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CP681分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

CP681
厂商型号

CP681

参数属性

CP681 封装/外壳为模具;包装为带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS PNP 20V 600MHZ DIE

功能描述

PNP - Silicon RF Transistor Die 50mA, 20 Volt
RF TRANS PNP 20V 600MHZ DIE

文件大小

620.53 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Central Semiconductor Corp
企业简称

Central

中文名称

美国中央半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-22 10:16:00

CP681规格书详情

The CP681 is a silicon PNP RF transistor designed for general purpose RF amplifi er and mixer applications.

MECHANICAL SPECIFICATIONS:

Die Size 15 x 15 MILS

Die Thickness 7.9 MILS

Base Bonding Pad Area 2.3 MIL DIAMETER

Emitter Bonding Pad Area 2.3 MIL DIAMETER

Top Side Metalization Al-Si – 13,000Å

Back Side Metalization Au – 12,000Å

Scribe Alley Width 3.0 MILS

Wafer Diameter 5 INCHES

Gross Die Per Wafer 74,000

CP681属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。美国中央半导体制造生产的CP681晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

产品属性

  • 产品编号:

    CP681-MPSH81-CT

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    20V

  • 频率 - 跃迁:

    600MHz

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 5mA,10V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    50mA

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    模具

  • 供应商器件封装:

    模具

  • 描述:

    RF TRANS PNP 20V 600MHZ DIE

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