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CP611	文件：226.31 Kbytes Page：2 Pages	Power Transistor PNP - Amp / Switch Transistor Chip PROCESS DETAILS Process EPITAXIAL PLANAR Die Size 80 x 99 MILS Die Thickness 12.5 ± 1 MILS Base Bonding Pad Area 12 x 32 MILS Emitter Bonding Pad Area 13 x 46 MILS Top Side Metalization Al - 30,000Å Back Side Metalization Ag - 16,000Å 文件：226.31 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP611	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power Transistor PNP - Amp/Switch Transistor Chip	Central	Central
CP611_10	文件：399.68 Kbytes Page：2 Pages	Power Transistor PNP - Amp/Switch Transistor Chip 文件：399.68 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP611-2N5955	文件：632.23 Kbytes Page：5 Pages	PNP - High Current Transistor Die 6.0 Amp, 60 Volt 文件：632.23 Kbytes 页数：5 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP611-2N5955-CT	文件：475.54 Kbytes Page：4 Pages	PNP - Power Transistor Die 8.0 Amp, 150 Volt 文件：475.54 Kbytes 页数：4 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP611-2N5955-CT	文件：602.85 Kbytes Page：5 Pages	PNP - High Current Transistor Die 3.0 Amp, 100 Volt 文件：602.85 Kbytes 页数：5 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP611-2N5955-CT	文件：602.77 Kbytes Page：5 Pages	PNP - High Current Transistor Die 4.0 Amp, 100 Volt 文件：602.77 Kbytes 页数：5 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP611-2N5955-CT	文件：602.69 Kbytes Page：5 Pages	PNP - High Current Transistor Die 4.0 Amp, 80 Volt 文件：602.69 Kbytes 页数：5 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP611-2N5955-CT	文件：805.74 Kbytes Page：5 Pages	NPN - High Current Transistor Die 10 Amp, 60 Volt 文件：805.74 Kbytes 页数：5 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP611-2N5955-CT	文件：809.67 Kbytes Page：5 Pages	NPN - High Current Transistor Die 15 Amp, 60 Volt 文件：809.67 Kbytes 页数：5 Pages	CENTRAL	CENTRAL

技术参数

Case：
Chip_Packaging
Configuration/ Description：
Bare die 99.000 X 80.000
Polarity：
PNP
IC MAX：
6A
PD MAX：
40W
VCEO MAX：
60V
hFE MIN：
20
hFE MAX：
100
@VCE：
4V
VCE(SAT) MAX：
1V
@IC：
2.5A
@IB：
250mA
fT MIN：
5MHz

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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