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CP388X	文件：649.8 Kbytes Page：2 Pages	Small Signal Transistor NPN - Low Noise Amplifier Transistor Chip PROCESS DETAILS Process EPITAXIAL PLANAR Die Size 13 x 13 MILS Die Thickness 5.9 MILS Base Bonding Pad Area 3.9 x 3.9 MILS Emitter Bonding Pad Area 5.4 x 5.4 MILS Top Side Metalization Al-Si - 17,000Å Back Side Metalization Au - 12,000Å 文件：649.8 Kbytes 页数：2 Pages	Central	Central
CP388X-2N2484	文件：615.84 Kbytes Page：5 Pages	NPN - Low Noise Transistor Die 文件：615.84 Kbytes 页数：5 Pages	Central	Central
CP388X-2N2484-CT	文件：530.8 Kbytes Page：9 Pages	PNP - High Voltage Transistor Die 文件：530.8 Kbytes 页数：9 Pages	Central	Central
CP388X-2N2484-CT	文件：465.81 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel JFET Die 文件：465.81 Kbytes 页数：9 Pages	Central	Central
CP388X-2N2484-WN	文件：465.81 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel JFET Die 文件：465.81 Kbytes 页数：9 Pages	Central	Central
CP388X-2N2484-WN	文件：530.8 Kbytes Page：9 Pages	PNP - High Voltage Transistor Die 文件：530.8 Kbytes 页数：9 Pages	Central	Central
CP388X-2N2919	文件：436.7 Kbytes Page：4 Pages	NPN - Low Noise Transistor Die 文件：436.7 Kbytes 页数：4 Pages	Central	Central
CP388X-2N2919-CT	文件：496.25 Kbytes Page：5 Pages	NPN - Low Noise Transistor Die 文件：496.25 Kbytes 页数：5 Pages	Central	Central
CP388X-2N2920	文件：624.71 Kbytes Page：4 Pages	NPN - Low Noise Transistor Die 文件：624.71 Kbytes 页数：4 Pages	Central	Central
CP388X-2N3117	文件：321.02 Kbytes Page：3 Pages	NPN - General Purpose Transistor Die 文件：321.02 Kbytes 页数：3 Pages	Central	Central

技术参数

Case：
Chip_Packaging
Configuration/ Description：
Bare die 12.990 X 12.990
Polarity：
NPN
IC MAX：
50mA
PD MAX：
360mW
VCEO MAX：
60V
hFE MIN：
100
hFE MAX：
500
@VCE：
5V
VCE(SAT) MAX：
350mV
@IC：
1mA
@IB：
100μA
Cob MAX：
6pF
fT MIN：
15MHz
NF MAX：
3dB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CP388X供应商更新时间2025-10-20 9:21:00

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