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CP388X分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

CP388X
厂商型号

CP388X

参数属性

CP388X 封装/外壳为模具;包装为带盒(TB);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 30V 0.05A DIE

功能描述

Small Signal Transistor NPN - Low Noise Amplifier Transistor Chip
TRANS NPN 30V 0.05A DIE

文件大小

649.8 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Central Semiconductor Corp
企业简称

Central

中文名称

美国中央半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-21 9:02:00

CP388X规格书详情

PROCESS DETAILS

Process EPITAXIAL PLANAR

Die Size 13 x 13 MILS

Die Thickness 5.9 MILS

Base Bonding Pad Area 3.9 x 3.9 MILS

Emitter Bonding Pad Area 5.4 x 5.4 MILS

Top Side Metalization Al-Si - 17,000Å

Back Side Metalization Au - 12,000Å

CP388X属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。美国中央半导体制造生产的CP388X晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

  • 产品编号:

    CP388X-2N5088-CT

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    带盒(TB)

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 1mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    350 @ 1mA,5V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    模具

  • 供应商器件封装:

    模具

  • 描述:

    TRANS NPN 30V 0.05A DIE

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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