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CP28-2	文件：377.75 Kbytes Page：4 Pages	PELTIER MODULE DESCRIPTION: PELTIER MODULE FEATURES • solid state device • 2-stage cooler • precise temperature control • quiet operation 文件：377.75 Kbytes 页数：4 Pages	CUI	CUI
CP283	文件：34.76 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistor NPN - Silicon Power Transistor Chip PROCESS DETAILS Die Size 68 x 68 MILS Die Thickness 9.5 MILS Base Bonding Pad Area 18 x 11 MILS Emitter Bonding Pad Area 18 x 12 MILS Top Side Metalization Al - 45,000Å Back Side Metalization Ti/Ni/Ag - (3000Å, 10,000Å, 10,000Å) 文件：34.76 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP28372-2	文件：377.75 Kbytes Page：4 Pages	PELTIER MODULE DESCRIPTION: PELTIER MODULE FEATURES • solid state device • 2-stage cooler • precise temperature control • quiet operation 文件：377.75 Kbytes 页数：4 Pages	CUI	CUI
CP285	文件：37.2 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistor 4.0 Amp NPN Silicon Power Transistor Chip PROCESS DETAILS Die Size 105 x 105 MILS Die Thickness 9.5 MILS Base Bonding Pad Area 32 x 22 MILS Emitter Bonding Pad Area 33 x 24 MILS Top Side Metalization Al - 45,000Å Back Side Metalization Ti/Ni/Ag - (3000Å, 10,000Å, 10,000Å) 文件：37.2 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP287	文件：44.6 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistor 8.0 Amp NPN Silicon Power Transistor Chip PROCESS DETAILS Die Size 130 x 130 MILS Die Thickness 9.5 MILS Base Bonding Pad Area 37 x 20 MILS Emitter Bonding Pad Area 38 x 20 MILS Top Side Metalization Al - 45,000Å Back Side Metalization Ti/Ni/Ag - (3000Å, 10,000Å, 10,000Å) 文件：44.6 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP289	文件：40.17 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistors 8.0 Amp NPN - High Voltage Transistor Chip PROCESS DETAILS Die Size 167 x 167 MILS Die Thickness 9.5 MILS Base Bonding Pad Area 59 x 29 MILS Emitter Bonding Pad Area 64 x 28 MILS Top Side Metalization Al - 45,000Å Back Side Metalization Ti/Ni/Ag - 3,000Å, 10,000Å, 10,000Å 文件：40.17 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP283-MJE13003	文件：400.08 Kbytes Page：4 Pages	NPN - Power Transistor Die 1.5 Amp, 400 Volt 文件：400.08 Kbytes 页数：4 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP287-MJE13007-CT	文件：544.72 Kbytes Page：5 Pages	NPN - Darlington Transistor Die 20 Amp, 120 Volt 文件：544.72 Kbytes 页数：5 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP28	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：工具螺丝和螺母起子描述：SCREWDRIVER,#2X8\	ATG	ATG
CP2816QN16	文件：300 bytes Page：1 Pages	电容触摸按键 / 可编程，PWM控制器，SOC，UART	Chiphomer 启攀微电子	Chiphomer

技术参数

Case：
Chip_Packaging
Configuration/ Description：
Bare die 67.953 X 67.953
Polarity：
NPN
IC MAX：
1.5A
PD MAX：
40W
VCEO MAX：
400V
hFE MIN：
5
hFE MAX：
25
@VCE：
2V
VCE(SAT) MAX：
1V
@IC：
1A
@IB：
250mA
Cob TYP：
40pF
fT MIN：
4MHz

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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