CP2113-高电流匹配度、双路升压型LED驱动器

随着手机显示屏的尺寸逐渐增大，人们对于屏幕亮度和亮度一致性都提出了更高的要求。由于单路串联背光受效率不足和最多支持灯数有限的限制，多路并联升压型背光驱动被越来越多的应用到各类终端产品的设计中。\n CP2113是一款高效率的升压型双通道WLED驱动器，为单节锂离子电池供电的智能手机背光提供了高亮度、高电流匹配度的双路串联背光解决方案。此器件能够驱动高达十串两并 (10s2p) 的WLED背光灯，且两路背光LED串间具备良好的匹配度。此器件支持2.7V-5.5V宽电压输入。此器件内部集成了一个1.5A/40V的功率管，能够自适应的将输出电压调整至所需电压。\n CP2113支持PWM - 37.5V过压保护(OVP)阈值，最多支持20颗WLED（10s2p）\n- 1%的典型电流匹配精度\n- 每个通道可支持高达30mA的电流\n- 内部集成1.5A/40V金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)\n- 可支持512级一线脉冲调光和PWM调光\n- 高达 100:1 PWM 调光比\n- 一线脉冲调光支持512级亮度\n- 1.2MHz 开关频率\n- 2.7V 至 5.5V 输入电压\n- 自适应升压输出至 WLED 电压\n- 极低电压余量控制 (90mV)\n- 效率高达90%\n- 内置软启动\n- 内置 WLED 开路/短路保护\n- 过热保;

Chiphomer

启攀微电子

HIGH-SIDE AND LOW-SIDE GATE DRIVERS IN SO-16 (TYPE TH)

文件：1.43325 Mbytes 页数：12 Pages

DIODES

美台半导体

HIGH-SIDE AND LOW-SIDE GATE DRIVERS IN SO-16

Features • Drives two N-Channel MOSFETs or IGBTs in High-Side/Low-Side Configuration • Floating High-Side Operates to 600V • 2.5A Sink/2.5A Source Typical Output Currents • Outputs Tolerant To Negative Transients • Wide Gate Driver Supply Voltage Range: 10V to 20V • Wide Logic Input Supply V

文件：1.89692 Mbytes 页数：12 Pages

DIODES

美台半导体

High-power MOS transistor, IGBT transistor gate driver chip

Features ◼ High-end suspension bootstrap power supply design, withstand voltage up to 600V ◼ Integrated internal bootstrap diode,fewer peripheral devices ◼ Maximum frequency support 500KHZ ◼ Low-side VDD voltage range 3.3 V-5V ◼ Low-side VCC voltage range 10V-20V ◼ Output current capability

文件：980.66 Kbytes 页数：14 Pages

EGMICRO

屹晶微电子