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HSM840	文件：99.52 Kbytes Page：2 Pages	8AmpSchottkyRectifier 8AmpSchottkyRectifier •SchottkyBarrierRectifier •GuardRingProtection •175°CJunctionTemperature •HighCurrentCapability •VRRM25to45Volts •Surfacemountpackage	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
HTOT840	文件：72.87 Kbytes Page：8 Pages	HITAGTMAntennaTuningDevice GeneralRemarks ForoptimalperformanceHITAGantennashavetobetunedduringproduction,respectivelybystart-upor,forservicepurposes,duringoperation.TheHITAGAntennaTuningDeviceisaveryeasytohandleandcosteffectivesolutionforthetuningof125kHzHITAGantennas.Thedevice	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
I840	文件：1.63311 Mbytes Page：12 Pages	8A500VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
IM840	文件：414.09 Kbytes Page：7 Pages	Directpintopindrop-inreplacementforindustry-standardpackages	ILSIILSI America LLC 艾博康深圳艾博康商务咨询有限公司	ILSI
IM840B	文件：414.09 Kbytes Page：7 Pages	MemsOscillator,HighPerformanceDifferentialOscillator,LVPECLandLVDS1.000MHzto220.000MHz	MMD MMD Components	MMD
IM840B	文件：414.09 Kbytes Page：7 Pages	Directpintopindrop-inreplacementforindustry-standardpackages	ILSIILSI America LLC 艾博康深圳艾博康商务咨询有限公司	ILSI
IM840C	文件：414.09 Kbytes Page：7 Pages	Directpintopindrop-inreplacementforindustry-standardpackages	ILSIILSI America LLC 艾博康深圳艾博康商务咨询有限公司	ILSI
IM840C	文件：414.09 Kbytes Page：7 Pages	MemsOscillator,HighPerformanceDifferentialOscillator,LVPECLandLVDS1.000MHzto220.000MHz	MMD MMD Components	MMD
IRC840	文件：220.27 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=0.85ohm,Id=8.0A) Description ThirdGenerationHEXFETsfrominternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheHEXSensedeviceprovidesanaccuratefractionofthedraincurrentthroughtheadditionaltw	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRC840PBF	文件：1.25191 Mbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description ThirdGenerationHEXFETsfrominternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheHEXSensedeviceprovidesanaccuratefractionofthedraincurrentthroughtheadditionaltw	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF840	文件：152.01 Kbytes Page：1 Pages	PowerMOSFET(VDSS=500V,RDS(on)=0.85ohm,ID=8.0A) PowerMOSFET VDSS=500V,RDS(on)=0.85ohm,ID=8.0A NChannel	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
IRF840	文件：206.7 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFN-CHANNELPOWERMOSFET Description Designedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Alsoofferadrain-to-sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedapplicationssuchaspowersupplies,PWMmotorcontrolsandotherinductiveloads,theavalancheenergycap	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
IRF840	文件：135.24 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF840	文件：170.17 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=0.85ohm,Id=8.0A) 500Volt,0.85OhmHEXFETTO-220ABPlasticPackage TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifiersadvancelineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgemmetryanduniqueprocessingofthislatestStateoftheArtdesignachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhight	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF840	文件：544.88 Kbytes Page：8 Pages	TRANSISTORSN-CHANNEL REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED HEXFET®TRANSISTORSN-CHANNEL	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF840	文件：56.91 Kbytes Page：7 Pages	8A,500V,0.850Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitchin	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
IRF840	文件：93.43 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL500V-0.75ohm-8A-TO-220PowerMESH]MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
IRF840	文件：60.22 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistorAvalancheenergyrated DESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitched modepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications.TheIRF840issuppliedin	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
IRF840	文件：146.97 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATETMOSPOWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
IRF840	文件：911.1 Kbytes Page：10 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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详细参数

型号：
COPCJ840-XXX/M
制造商：
NSC
制造商全称：
National Semiconductor
功能描述：
8-Bit CMOS ROM Based Microcontrollers with 1k or 2k Memory, Comparator and Brown Out Detector

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多COPCJ840-XXX/M供应商更新时间2024-6-4 15:00:00

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