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FDR842P	文件：141.79 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel1.8VSpecifiedPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisP-Channel–1.8VspecifiedMOSFETusesFairchild’sadvancedlowvoltagePowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforbatterypowermanagementapplications. Features •–11A,–12V RDS(ON)=9mΩ@VGS=–4.5V RDS(ON)=12mΩ@VGS=–2.5V RDS(ON)=16mΩ	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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