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CMUT5551E BK	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-89，SOT-490；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 220V 0.6A SOT523	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CTLT5551	文件：413.04 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSENPNSILICONTRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CXT5551	文件：100.75 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTNPNSILICONTRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCXT5551typeisanNPNsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighvoltageamplifierapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CXT5551	文件：309.42 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors Features ●Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ●LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ●PowerDissipation:PCM=0.5W(Tamb=25°C) ●CollectorCurrent:ICM=0.6A ●Collector-BaseVoltage:V(BR)CBO=180V ●Marking	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
CXT5551	文件：737.17 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●SwitchingandamplificationinhighvoltageApplicationssuchastelephony ●Lowcurrent(max.600mA) ●Highvoltage(max.180v)	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
CXT5551	文件：369.87 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
CXT5551	文件：285.83 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES •SwitchingandamplificationinhighvoltageApplicationssuchastelephony •Lowcurrent(max.600mA) •Highvoltage(max.180v)	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
CXT5551	文件：193.01 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Switchingandamplificationinhighvoltage. ●Lowcurrent(max.600mA) ●Highvoltage(max.180V) APPLICATIONS ●Highvoltageamplifierapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
CXT5551	文件：911.52 Kbytes Page：4 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors Features Switchingandamplificationinhighvoltage Applicationssuchastelephony Lowcurrent(max.600mA) Highvoltage(max.180V)	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
CXT5551E	文件：127.17 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCEDSPECIFICATIONSURFACEMOUNTNPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCXT5551EisanNPNSiliconTransistor,packagedinanSOT-89case,designedforgeneralpurposeamplifierapplicationsrequiringhighbreakdownvoltage. FEATURES: •HighCollectorBreakdownVoltage250V •LowLeakageCurrent50nAMax •LowSaturationVol	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

产品属性

产品编号：
CMUT5551E BK
制造商：
Central Semiconductor Corp
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
100mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 10mA，5V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-89，SOT-490
供应商器件封装：
SOT-523
描述：
TRANS NPN 220V 0.6A SOT523

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	CMUT5551EBK	Central Semiconductor Corp	2022+	SOT-523	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	CMUT5551EBK	Central Semiconductor Corp	25+	SC-89 SOT-490	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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更多CMUT5551E BK供应商更新时间2025-7-29 8:24:00

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