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CXT5551HC	文件：121.14 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTHIGHCURRENTSILICONNPNTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCXT5551HCtypeisanhighcurrentNPNsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighvoltageandhighcurrentamplifierapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CYT5551D	文件：103.92 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTDUAL,ISOLATEDNPNSILICONTRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CYT5551HCD	文件：103.55 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTDUAL,ISOLATEDNPNHIGHCURRENTSILICONTRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CZT5551	文件：93.01 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCZT5551typeisanNPNsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighvoltageamplifierapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CZT5551	文件：35.59 Kbytes Page：1 Pages	NPNSiliconTransistor	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
CZT5551	文件：675.2 Kbytes Page：2 Pages	EpitaxialPlanarTransistor Description TheCZT5551isdesignedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighbreakdownvoltages.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
CZT5551	文件：1.787 Mbytes Page：4 Pages	SOT-223Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighVoltage HighVoltageAmplifierApplication	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
CZT5551	文件：1.58247 Mbytes Page：5 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor Features HighVoltage HighVoltageAmplifierApplication	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
CZT5551-C	文件：314.1 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconMediumPowerTransistor FEATURES •HighVoltageAmplifierApplication •HighVoltage	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
CZT5551E	文件：152 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCEDSPECIFICATIONSURFACEMOUNTNPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCZT5551EisanNPNSiliconTransistor,packagedinanSOT-223case,designedforgeneralpurposeamplifierapplicationsrequiringhighbreakdownvoltage. MARKINGCODE:FULLPARTNUMBER FEATURES: •HighCollectorBreakdownVoltage250V •LowLeakageCurre	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

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产品属性

产品编号：
CMUT5551E BK
制造商：
Central Semiconductor Corp
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
100mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 10mA，5V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-89，SOT-490
供应商器件封装：
SOT-523
描述：
TRANS NPN 220V 0.6A SOT523

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	CMUT5551EBK	Central Semiconductor Corp	2022+	SOT-523	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	CMUT5551EBK	Central Semiconductor Corp	25+	SC-89 SOT-490	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	CMUT5551ETR	CENTRAL	23+	SOT523	83500	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市科雨电子有限公司	CMUT5551TR	CENTRAL	1809+	SOT-523	3675	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
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深圳市一线半导体有限公司	CMUX0088A	HAR	24+	CDIP	170		询价

更多CMUT5551E BK供应商更新时间2025-7-29 15:01:00

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