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CMS6324数据手册Cmsemicon中文资料规格书

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厂商型号

CMS6324

功能描述

单相中压高速栅极驱动IC

制造商

Cmsemicon Shenzhen China Micro Semicon Co.,Ltd.

中文名称

中微半导体 中微半导体(深圳)股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 20:00:00

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CMS6324规格书详情

描述 Description

CMS6x24是为采用双N沟道VDMOS功率管或IGBT构成的桥式电路设计的单相中压高速栅极驱动IC,芯片内置300ns死区时间,单片机输出信号死区时间大于内置死区时间,实际死区时间为单片机设置的死区时间。工作温度-20℃至85℃;提供SOP8封装。

特性 Features

• 悬浮绝对电压+200V
• 高峰值电流输出能力+1.1A/-1.5A@15V
• 电源电压范围:9V~20V
• 内置VCC欠压保护UVLO
• 内置直通防止功能
• 内置300ns死区时间
• 高低侧通道匹配
• 3.3V/5V输入逻辑兼容

技术参数

  • 制造商编号

    :CMS6324

  • 生产厂家

    :Cmsemicon

  • 工作温度 (℃)

    :-20~+85

  • 电压 (V)

    :9~20

  • Vs耐压(V)

    :100

  • IO+/IO-

    :+1.0A/-1.3A

  • 输入逻辑

    :HIN/LIN*

  • VCC(UV+/UV-)

    :8.5V/7.9V

  • VBS(UV+/UV-)

    :-

  • 驱动功率管类型

    :双N

  • 死区时间(ns)

    :310

  • 直通防止

    :√

  • 输出通道

    :2

  • 内置LDO

    :-

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