CMS6163N数据手册Cmsemicon中文资料规格书
CMS6163N规格书详情
描述 Description
CMS6163N是为采用双N沟道VDMOS功率管或IGBT构成的桥式电路设计的三相中压高速栅极驱动IC，可应用于直流无刷、直流有刷电机等应用方案。CMS6163N通过输入信号(HIN、LIN)分别控制高侧驱动电路输出(HO)和低侧驱动电路输出(LO)。内置200ns死区时间为最小死区时间，当单片机输出信号死区时间大于内置死区时间，实际死区时间为单片机设置的死区时间与内置死区之和。内置VCC、VBS欠压(UVLO)保护功能可防止系统在低驱动电压开启外部功率管。
特性 Features
• 悬浮偏移电压+180V
• 电源电压工作范围：8~20V
• 内置VCC、VBS欠压保护UVLO
• 内置直通防止功能
• 内置200ns死区时间
• 高低端通道匹配
• 输出与输入同相
• 输入引脚内置下拉电阻
• 3.3V、5V输入逻辑兼容
• 高峰值电流输出能力
• 峰值输出电流1.2A@12V，3.3nF负载上升时间40ns
• 峰值吸入电流1.5A@12V，3.3nF负载下降时间35ns
技术参数
- 制造商编号
：CMS6163N
- 生产厂家
：Cmsemicon
- 工作温度 （℃）
：-20~+85
- 电压 （V）
：8~20
- Vs耐压（V）
：180
- IO+/IO-
：+1.2A/-1.5A
- 输入逻辑
：HIN/LIN
- VCC（UV+/UV-）
：6.4V/6.0V
- VBS（UV+/UV-）
：6.4V/6.0V
- 驱动功率管类型
：双N
- 死区时间（ns）
：200
- 直通防止
：√
- 输出通道
：6
- 内置LDO
：-
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CMD |
24+ |
MSOP10 |
6512 |
公司现货库存,支持实单 |
询价 | ||
CMS |
24+ |
NA/ |
3723 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
OMRON(欧姆龙) |
24+ |
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询价 | |||
CMS |
25+ |
SMD |
473 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
SUMIDA |
24+ |
NA |
990000 |
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FIDELIX |
21+ |
BGA |
203 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
CMS |
24+ |
SOP24 |
44300 |
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询价 | ||
SUMIDA |
23+ |
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CMS |
21+ |
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询价 | |||
CMS |
22+ |
SOP24 |
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询价 |
