CMS6126数据手册Cmsemicon中文资料规格书
CMS6126规格书详情
描述 Description
CMS6x26是为采用双N沟道VDMOS功率管或IGBT构成的桥式电路设计的单相高压高速栅极驱动IC,芯片内置320ns死区时间,单片机输出信号死区时间大于内置死区时间,实际死区时间为单片机设置的死区时间。工作温度-20℃至85℃;提供SOP8封装。
特性 Features
• 悬浮绝对电压+600V
• 输出电流+0.21A/-0.36A@15V
• 电源电压范围:10V~20V
• 内置VCC、VBS欠压保护UVLO
• 内置直通防止功能
• 内置320ns死区时间
• 高低侧通道匹配
• 3.3V/5V输入逻辑兼容
技术参数
- 制造商编号
:CMS6126
- 生产厂家
:Cmsemicon
- 工作温度 (℃)
:-20~+85
- 电压 (V)
:10~20
- Vs耐压(V)
:600
- IO+/IO-
:+0.21A/-0.36A
- 输入逻辑
:HIN/LIN
- VCC(UV+/UV-)
:8.8V/8.2V
- VBS(UV+/UV-)
:8.8V/8.2V
- 驱动功率管类型
:双N
- 死区时间(ns)
:320
- 直通防止
:√
- 输出通道
:2
- 内置LDO
:-
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