CMS6164D数据手册Cmsemicon中文资料规格书
CMS6164D规格书详情
描述 Description
CMS6164D是为采用双N沟道VDMOS功率管或IGBT构成的桥式电路设计的三相中压高速栅极驱动IC，可应用于直流无刷、直流有刷电机等应用方案。CMS6164D通过输入信号(HIN、LIN)分别控制高侧驱动电路输出(HO)和低侧驱动电路输出(LO)。内置300ns死区时间为最小死区时间，当单片机输出信号死区时间大于内置死区时间，实际死区时间为单片机设置的死区时间。内置VCC、VBS欠压(UVLO)保护功能可防止系统在低驱动电压开启外部功率管。
特性 Features
• 悬浮偏移电压+200V
• 电源电压工作范围：7~20V
• 内置VCC、VBS欠压保护UVLO
• 内置直通防止功能
• 内置300ns死区时间
• 高低端通道匹配
• 输出与输入同相
• 输入引脚内置下拉电阻
• 3.3V/5V 输入逻辑兼容
• 高峰值电流输出能力
• 峰值输出电流1.0A@15V，3.3nF负载上升时间32ns
• 峰值吸入电流2.1A@15V，3.3nF负载下降时间20ns
技术参数
- 制造商编号
：CMS6164D
- 生产厂家
：Cmsemicon
- 工作温度 （℃）
：7~20
- 电压 （V）
：-20~+85
- Vs耐压（V）
：200V
- IO+/IO-
：+1.0A/-2.1A
- 输入逻辑
：HIN/LIN
- VCC（UV+/UV-）
：5.7V/5.3V
- VBS（UV+/UV-）
：4.5V/4.2V
- 驱动功率管类型
：双N
- 死区时间（ns）
：300ns
- 直通防止
：√
- 输出通道
：6
- 温度保护
：6
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