CMS6164数据手册Cmsemicon中文资料规格书
CMS6164规格书详情
描述 Description
CMS6x64是为采用双N沟道VDMOS功率管或IGBT构成的桥式电路设计的三相中压高速栅极驱动IC，芯片内置300ns死区时间，单片机输出信号死区时间大于内置死区时间，实际死区时间为单片机设置的死区时间。工作温度-20℃至85℃；提供TSSOP20封装。
特性 Features
• 悬浮绝对电压+200V
• 高峰值电流输出能力+1.1A/-2.0A@15V
• 电源电压范围：8V~20V
• 内置VCC、VBS欠压保护UVLO
• 内置直通防止功能
• 内置300ns死区时间
• 高低侧通道匹配
• 3.3V/5V 输入逻辑兼容
技术参数
- 制造商编号
：CMS6164
- 生产厂家
：Cmsemicon
- 工作温度 （℃）
：-20~+85
- 电压 （V）
：8~20
- Vs耐压（V）
：200
- IO+/IO-
：+1.1A/-2A
- 输入逻辑
：HIN/LIN
- VCC（UV+/UV-）
：6.8V/6.2V
- VBS（UV+/UV-）
：6.8V/6.2V
- 驱动功率管类型
：双N
- 死区时间（ns）
：310
- 直通防止
：√
- 输出通道
：6
- 内置LDO
：-
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