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DMN2004K	文件：152.59 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Description ThisnewgenerationMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(on))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhigh-efficiencypowermanagementapplications. FeaturesandBenefits •LowOn-Resistance:RDS(on)=550(max)mΩ@VGS=4.5V	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN2004K	文件：194.7 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
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DMN2004VK	文件：155.01 Kbytes Page：4 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •DualN-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ESDProtectedGate •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”D	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
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DMN2004WK	文件：152.19 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •LowOn-Resistance:RDS(ON) •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •ESDProtectedupto2KV •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Qu	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN2004WK	文件：178.47 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMN2004WK	文件：2.64703 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC

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