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D2003	文件：60.51 Kbytes Page：4 Pages	METALGATERFSILICONFET GOLDMETALLISEDMULTI-PURPOSESILICONDMOSRFFET5W–28V–1GHzPUSH–PULL FEATURES •SIMPLIFIEDAMPLIFIERDESIGN •SUITABLEFORBROADBANDAPPLICATIONS •VERYLOWCrss •SIMPLEBIASCIRCUITS •LOWNOISE •HIGHGAIN–13dBMINIMUM APPLICATIONS •VHF/UHFCOMMUNICATIONSfrom50MHzto1G	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
D2003UK	文件：60.51 Kbytes Page：4 Pages	METALGATERFSILICONFET GOLDMETALLISEDMULTI-PURPOSESILICONDMOSRFFET5W–28V–1GHzPUSH–PULL FEATURES •SIMPLIFIEDAMPLIFIERDESIGN •SUITABLEFORBROADBANDAPPLICATIONS •VERYLOWCrss •SIMPLEBIASCIRCUITS •LOWNOISE •HIGHGAIN–13dBMINIMUM APPLICATIONS •VHF/UHFCOMMUNICATIONSfrom50MHzto1G	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
DG2003	文件：62.03 Kbytes Page：7 Pages	Low-VoltageDualSPSTAnalogSwitch DESCRIPTION TheDG2003/2004/2005aredualsingle-pole/single-throwmonolithicCMOSanalogswitchdesignedforhighperformanceswitchingofanalogsignals.Combininglowpower,fastswitching,lowon-resistance(rDS(on):1.2Ω)andsmallphysicalsize(MSOP-8),theDG2003/2004/2005areidealfor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG2003	文件：74.38 Kbytes Page：8 Pages	Low-VoltageDualSPSTAnalogSwitch features LowVoltageOperation(1.8Vto5.5V) LowOn-Resistance-rDS(on):1.2 FastSwitching-14ns LowChargeInjection-QINJ:1pC LowPowerConsumption TTL/CMOSCompatible MSOP-8Package benefits ReducedPowerConsumption SimpleLogicInterface HighAccur	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG2003DQ	文件：62.03 Kbytes Page：7 Pages	Low-VoltageDualSPSTAnalogSwitch DESCRIPTION TheDG2003/2004/2005aredualsingle-pole/single-throwmonolithicCMOSanalogswitchdesignedforhighperformanceswitchingofanalogsignals.Combininglowpower,fastswitching,lowon-resistance(rDS(on):1.2Ω)andsmallphysicalsize(MSOP-8),theDG2003/2004/2005areidealfor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG2003DQ	文件：74.38 Kbytes Page：8 Pages	Low-VoltageDualSPSTAnalogSwitch features LowVoltageOperation(1.8Vto5.5V) LowOn-Resistance-rDS(on):1.2 FastSwitching-14ns LowChargeInjection-QINJ:1pC LowPowerConsumption TTL/CMOSCompatible MSOP-8Package benefits ReducedPowerConsumption SimpleLogicInterface HighAccur	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DGD2003	文件：688.91 Kbytes Page：11 Pages	HALF-BRIDGEGATEDRIVER	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DGD2003	文件：741.59 Kbytes Page：11 Pages	HALF-BRIDGEGATEDRIVERINSO-8 Features -FloatingHigh-SideDriverinBootstrapOperationto200V -DrivesTwoN-ChannelMOSFETsinaHalf-BridgeConfiguration -290mASource/600mASinkOutputCurrentCapability -OutputsToleranttoNegativeTransients -InternalDeadTimeof420nstoProtectMOSFETs -WideLowSideGat	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DL-LS2003	文件：239.05 Kbytes Page：1 Pages	INFRAREDLASERDIODE	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
DMP2003UPS	文件：603.04 Kbytes Page：7 Pages	20VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

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产品属性

产品编号：
CMPD2003C TR TIN/LEAD
制造商：
Central Semiconductor Corp
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
管件
二极管配置：
1 对共阴极
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
200mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
描述：
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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