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CMPD3003	文件：110.41 Kbytes Page：2 Pages	CURFACE MOUNT LOW LEAKAGE SWITCHING DIODE DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPD3003 series types are silicon switching diodes manufactured by the epitaxial planar process, designed for switching applications requiring an extremely low leakage diode. 文件：110.41 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CMPD3003	文件：648.04 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE SILICON SWITCHING DIODE 文件：648.04 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CMPD3003	文件：648.04 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE SILICON SWITCHING DIODE 文件：648.04 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CMPD3003A	文件：110.41 Kbytes Page：2 Pages	CURFACE MOUNT LOW LEAKAGE SWITCHING DIODE DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPD3003 series types are silicon switching diodes manufactured by the epitaxial planar process, designed for switching applications requiring an extremely low leakage diode. 文件：110.41 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CMPD3003C	文件：110.41 Kbytes Page：2 Pages	CURFACE MOUNT LOW LEAKAGE SWITCHING DIODE DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPD3003 series types are silicon switching diodes manufactured by the epitaxial planar process, designed for switching applications requiring an extremely low leakage diode. 文件：110.41 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CMPD3003S	文件：110.41 Kbytes Page：2 Pages	CURFACE MOUNT LOW LEAKAGE SWITCHING DIODE DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPD3003 series types are silicon switching diodes manufactured by the epitaxial planar process, designed for switching applications requiring an extremely low leakage diode. 文件：110.41 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CMPD3003_10	文件：648.04 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE SILICON SWITCHING DIODE 文件：648.04 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CMPD3003_15	文件：648.04 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE SILICON SWITCHING DIODE 文件：648.04 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CMPD3003A	文件：648.04 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE SILICON SWITCHING DIODE 文件：648.04 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CMPD3003A	文件：648.04 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE SILICON SWITCHING DIODE 文件：648.04 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL

技术参数

Case：
SOT-23 (TO-236AB)
Configuration/ Description：
Dual
VRRM MAX：
200V
Io MAX：
200mA
IFSM MAX：
2A
IR MAX：
1nA
@VR：
125V
VF MAX：
720mV
@IF：
1mA
CJ MAX：
4pF

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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