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CJL6602	文件：2.89085 Mbytes Page：6 Pages	P-channel and N-channel Complementary MOSFETS 文件：2.89085 Mbytes 页数：6 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
CJL6602	文件：300 bytes Page：1 Pages	Multi-Channel MOSFET	JSCJ 长晶科技	JSCJ
CJL6602A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench MOS	JSCJ 长晶科技	JSCJ
CPH6602	文件：44.91 Kbytes Page：4 Pages	CPH6602 文件：44.91 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
DMG6602SVT	文件：272.05 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：272.05 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG6602SVT	文件：1.1316 Mbytes Page：10 Pages	N- and P-Channel V (D-S) MOSFET 文件：1.1316 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Process：
TrenchTrench
ESDYes/No：
NoNo
VDSV：
30-30
VGSV：
±12±12
IDA：
3.4-2.3
VGS(TH)V：
0.6~1.4-0.6~-1.4
RDS(mΩ)@VGS10V Typ：
4575
RDS(mΩ)@VGS10V Max：
60135
RDS(mΩ)@VGS4.5V Typ：
5095
RDS(mΩ)@VGS4.5V Max：
75185
Package：
SOT-23-6L

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更多CJL6602供应商更新时间2025-12-2 17:40:00

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