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CJL6602A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench MOS	JSCJ 长晶科技	JSCJ
CPH6602	文件：44.91 Kbytes Page：4 Pages	CPH6602 文件：44.91 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
DMG6602SVT	文件：272.05 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：272.05 Kbytes 页数：10 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMG6602SVT	文件：1.1316 Mbytes Page：10 Pages	N- and P-Channel V (D-S) MOSFET 文件：1.1316 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Type：
N/P-ch
Process：
TrenchTrench
ESDYes/No：
NoNo
VDSV：
30-30
VGSV：
±12±12
IDA：
3.4-2.3
VGS(TH)V：
1~3-1~-3
RDS(mΩ)@VGS10V Typ：
3061
RDS(mΩ)@VGS10V Max：
3979
RDS(mΩ)@VGS4.5V Typ：
4391
RDS(mΩ)@VGS4.5V Max：
56118
Package：
SOT-23-6L

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CJL6602A供应商更新时间2025-12-2 12:00:00

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