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DMN2310U	文件：603.67 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowGateThresholdVoltage FastSwitchingSpeed ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveapplicationsrequiringspecificchangecontrol (i.e.partsqualifiedtoAEC-Q100/1	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2310UFD	文件：631.15 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowOn-Resistance VeryLowGateThresholdVoltage LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveapplicationsrequiringspecific	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2310UT	文件：708.57 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage Ultra-SmallSurfaceMountPackage ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveap	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2310UTQ	文件：605.12 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage Ultra-SmallSurfaceMountPackage ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) Halogen-andAntimony-Free.“Green”Device(Note3) Forautomotivea	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2310UW	文件：362.53 Kbytes Page：7 Pages	20VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features •LowOn-Resistance •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •Halogen-andAntimony-Free.“Green”Device(Note3) •Forautomotiveapplicationsrequiringspecificchangecontrol(i.e.partsqualifiedtoAEC-Q100/101/200	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2310UWQ	文件：545.13 Kbytes Page：7 Pages	20VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) TheDMN2310UWQissuitableforautomotiveapplications requiringspecificchangecontrol;thispartis	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
EAACT2310H	文件：49.88 Kbytes Page：2 Pages	TimersDelayonOperate	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
EAADT2310H	文件：49.88 Kbytes Page：2 Pages	TimersDelayonOperate	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
EASSM2310M	文件：62.22 Kbytes Page：2 Pages	TimersDelayonOperate	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
EASSM2310M	文件：110.49 Kbytes Page：2 Pages	TimersDelayonOperateTypeEAS	CARLOGAVAZZI Carlo Gavazzi Holding AG	CARLOGAVAZZI

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技术参数

Type：
Single-N
Process：
Trench
ESDYes/No：
No
VDSV：
60
VGSV：
±20
IDA：
3
VGS(TH)V：
0.5～2
RDS(mΩ)@VGS10V Typ：
82
RDS(mΩ)@VGS10V Max：
105
RDS(mΩ)@VGS4.5V Typ：
91
RDS(mΩ)@VGS4.5V Max：
125
Package：
SOT-23

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