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4269	文件：238.25 Kbytes Page：1 Pages	CLEARTHRU-HOLESPACER	KEYSTONEKeystone Electronics Corp. Keystone公司Keystone Electronics有限公司	KEYSTONE
BD4269EFJ-C	文件：922.16 Kbytes Page：28 Pages	AEC-Q100Qualifies	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BD4269FJ-C	文件：922.16 Kbytes Page：28 Pages	AEC-Q100Qualifies	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
CEM4269	文件：782.58 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES 40V,6.1A,RDS(ON)=32mW@VGS=10V. RDS(ON)=46mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Leadfreeproductisacquired. -40V,-5.2A,RDS(ON)=43mW@VGS=10V. RDS(ON)=65mW@VGS=	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM4269	文件：565.99 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES ■40V,6.1A,RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=46mΩ@VGS=4.5V. ■-40V,-5.2A,RDS(ON)=43mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=65mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEM4269A	文件：1.33561 Mbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES 40V,6.0A,RDS(ON)=34mW@VGS=10V. RDS(ON)=49mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant. -40V,-5.2A,RDS(ON)=43mW@VGS=10V. RDS(ON)=65mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU4269	文件：804.63 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES 40V,14A,RDS(ON)=32mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RDS(ON)=46mW@VGS=4.5V. -40V,-12A,RDS(ON)=45mW@VGS=10V. RDS(ON)=65mW@VGS=4.5V. TO-252-4Lpackage. Leadfreeproductisacquir	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU4269	文件：633.12 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES ■40V,14A,RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=46mΩ@VGS=4.5V. ■-40V,-12A,RDS(ON)=45mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=65mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapab	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CHM4269JPT	文件：586.36 Kbytes Page：5 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor N-channel:VOLTAGE40VoltsCURRENT6.1Ampere P-channel:VOLTAGE40VoltsCURRENT5.2Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SO-8) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Leadfreeproductisacquired. Highpowerandcurrenthandingcapability. APPLICATION *Servomo	CHENMKOCHENMKO CHENMKO	CHENMKO
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MAX4269EEE	文件：361.04 Kbytes Page：16 Pages	Ultra-Low-Distortion,Single-Supply,300MHzOpAmpswithEnable GeneralDescription TheMAX4265–MAX4270ultra-lowdistortion,voltage-feedbackopampsarecapableofdrivinga100Ωloadwhilemaintainingultra-lowdistortionoverawidebandwidth. Theyoffersuperiorspurious-freedynamicrange(SFDR)performance:-90dBcat5MHzand-59dBcat100MHz(MAX426	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX4269ESD	文件：361.04 Kbytes Page：16 Pages	Ultra-Low-Distortion,Single-Supply,300MHzOpAmpswithEnable GeneralDescription TheMAX4265–MAX4270ultra-lowdistortion,voltage-feedbackopampsarecapableofdrivinga100Ωloadwhilemaintainingultra-lowdistortionoverawidebandwidth. Theyoffersuperiorspurious-freedynamicrange(SFDR)performance:-90dBcat5MHzand-59dBcat100MHz(MAX426	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
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更多CHM4269JGP供应商更新时间2024-6-18 11:09:00

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