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BD4269EFJ-C	文件：922.16 Kbytes Page：28 Pages	AEC-Q100 Qualifies	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BD4269EFJ-CE2	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）线性 + 开关稳压器描述：IC REG LIN POS ADJ 300MA 8HTSOP	Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor
BD4269EFJ-CE2	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）稳压器 - 线性描述：IC REG LIN POS ADJ 300MA 8HTSOP	Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor
BD4269FJ-C	文件：922.16 Kbytes Page：28 Pages	AEC-Q100Qualifies	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
CEM4269	文件：565.99 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES ■40V,6.1A,RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=46mΩ@VGS=4.5V. ■-40V,-5.2A,RDS(ON)=43mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=65mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEM4269	文件：782.58 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES 40V,6.1A,RDS(ON)=32mW@VGS=10V. RDS(ON)=46mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Leadfreeproductisacquired. -40V,-5.2A,RDS(ON)=43mW@VGS=10V. RDS(ON)=65mW@VGS=	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM4269A	文件：1.33561 Mbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES 40V,6.0A,RDS(ON)=34mW@VGS=10V. RDS(ON)=49mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant. -40V,-5.2A,RDS(ON)=43mW@VGS=10V. RDS(ON)=65mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEU4269	文件：804.63 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES 40V,14A,RDS(ON)=32mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RDS(ON)=46mW@VGS=4.5V. -40V,-12A,RDS(ON)=45mW@VGS=10V. RDS(ON)=65mW@VGS=4.5V. TO-252-4Lpackage. Leadfreeproductisacquir	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEU4269	文件：633.12 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES ■40V,14A,RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=46mΩ@VGS=4.5V. ■-40V,-12A,RDS(ON)=45mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=65mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapab	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CHM4269JPT	文件：586.36 Kbytes Page：5 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor N-channel:VOLTAGE40VoltsCURRENT6.1Ampere P-channel:VOLTAGE40VoltsCURRENT5.2Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SO-8) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Leadfreeproductisacquired. Highpowerandcurrenthandingcapability. APPLICATION *Servomo	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO

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