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BD433	文件：1.05321 Mbytes Page：3 Pages	丝印：BD433；Package：TO-126；TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Amplifier and Switching Applications Complement To BD434, BD436 And BD438 文件：1.05321 Mbytes 页数：3 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
BD433	文件：102.09 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 1.25 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 4 A Collector-base voltage V(BR)CBO: BD433 22 V BD435 32 V BD437 45 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：102.09 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
BD433	文件：224.46 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES Amplifier and Switching Applications 文件：224.46 Kbytes 页数：2 Pages	FS	FS
BD433	文件：70.36 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS Intended for use in Medium Power Linear and Switching Applications 文件：70.36 Kbytes 页数：3 Pages	TEL	TEL
BD433	文件：55.28 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS Intended for use in Medium Power Linear and Switching Applications 文件：55.28 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL
BD433	文件：74.11 Kbytes Page：3 Pages	SILICON NPN POWER TRANSISTORS SILICON NPN POWER TRANSISTORS. The BD433-BD435-BD437 are NPN Transistors mounted in Jedec TO-126 plastic package. They are recommended for use in medium power linear and switching applications. PNP complements are BD434-BD436-BD438. Compliance to RoHS. 文件：74.11 Kbytes 页数：3 Pages	COMSET	COMSET
BD433	文件：130.82 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type BD434/436/438 APPLICATIONS • For medium power linear and switching applications 文件：130.82 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BD433	文件：939.6 Kbytes Page：3 Pages	TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Amplifier and Switching Applications ● Complement To BD434, BD436 And BD438 文件：939.6 Kbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
BD433	文件：73.96 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type BD434/436/438 APPLICATIONS • For medium power linear and switching applications 文件：73.96 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BD433	文件：102.21 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type BD434/436/438 APPLICATIONS • For medium power linear and switching applications 文件：102.21 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC

晶体管资料

型号：
BD433(A-C)(-10...-25)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
22V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD185,BD195,3DD62A,
最大耗散功率：
36W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
22
htest：
100000100
atest：
4
wtest：
36

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.5
IC Cont. (A)：
4
VCEO Min (V)：
22
VCBO (V)：
22
VEBO (V)：
5
VBE(on) (V)：
1.1
hFE Min：
40
hFE Max：
130
fT Min (MHz)：
3
PTM Max (W)：
36
Package Type：
TO-126-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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