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CGHV1J070D-GP4	文件：300 bytes Page：1 Pages	70 W; 18.0 GHz; GaN HEMT Die The CGHV1J070D is a high-voltage gallium-nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) on a silicon-carbide substrate; using a 0.25- μm gate length fabrication process. This GaN-on-SiC product offers superior high-frequency; high-efficiency features. It is ideal for a variety of application ·60% Typ. PAE at 10 GHz\n·70 W Typical PSAT\n·40 V Operation\n·Up to 18 GHz Operation;	MACOM	MACOM
CGHV37400F	文件：0 bytes Page：0 Pages	CREE 模块	Cree 科锐上传：深圳市欧特拉科技有限公司	Cree
CGHV96050F2	文件：0 bytes Page：0 Pages	MACOM NA	MACOM 上传：深圳市达恩科技有限公司	MACOM
CGHV96100F2	文件：0 bytes Page：0 Pages	MACOM NA	MACOM 上传：深圳市达恩科技有限公司	MACOM
CGRM4007-G	文件：0 bytes Page：0 Pages	COMCHIP SOD123	COMCHIP 典琦上传：深圳市粤科源兴科技有限公司	COMCHIP

技术参数

Min Frequency(MHz)：
0
Max Frequency(MHz)：
18000
Peak Output Power(W)：
70
Gain(dB)：
17.0
Efficiency(%)：
60
Operating Voltage(V)：
40
Form：
Discrete Bare Die
Package Category：
Die
Technology：
GaN-on-SiC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市科雨电子有限公司	CGHV1J070D-GP4	WOLFSPEED	25+	模具	26	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	CGHV22100	CREE	24+	SMD	1680	一级代理原装进口现货	询价
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更多CGHV1J070D-GP4供应商更新时间2025-10-9 10:06:00

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