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CGHV1J025D	文件：1.28552 Mbytes Page：10 Pages	25 W, 18.0 GHz, GaN HEMT Die Description Wolfspeed’sCGHV1J025Disahighvoltagegalliumnitride(GaN)HighElectron MobilityTransistor(HEMT)onasiliconcarbidesubstrate,usinga0.25μmgate lengthfabricationprocess.ThisGaN-on-SiCproductofferssuperiorhighfrequency, highefficiencyfeatures.Itisidealfor	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
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CGHV1J025D

文件：1.28552 Mbytes

Page：10 Pages

25 W, 18.0 GHz, GaN HEMT Die

Description Wolfspeed’sCGHV1J025Disahighvoltagegalliumnitride(GaN)HighElectron MobilityTransistor(HEMT)onasiliconcarbidesubstrate,usinga0.25μmgate lengthfabricationprocess.ThisGaN-on-SiCproductofferssuperiorhighfrequency, highefficiencyfeatures.Itisidealfor

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

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CGHV1J025D

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25 W, 18.0 GHz, GaN HEMT Die

CreeCree, Inc

科锐

Cree

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更多CGHV1J025D供应商更新时间2025-5-20 16:38:00

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