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CGHV1J025D-GP4	文件：300 bytes Page：1 Pages	25 W; 18.0 GHz; GaN HEMT Die The CGHV1J025D is a high-voltage; gallium-nitride (GaN) high-electron-mobility transistor (HEMT) on a silicon-carbide substrate; using a 0.25-μm gate-length fabrication process. This GaN-on-SiC product offers superior high-frequency; high-efficiency features. It is ideal for a variety of applicati ·17 dB Typ. Small Signal Gain at 10 GHz\n·60% Typ. PAE at 10 GHz\n·25 W Typical PSAT\n·40 V Operation\n·Up to 18 GHz Operation;	MACOM	MACOM
CGHV37400F	文件：0 bytes Page：0 Pages	CREE 模块	Cree 科锐上传：深圳市欧特拉科技有限公司	Cree
CGHV96050F2	文件：0 bytes Page：0 Pages	MACOM NA	MACOM 上传：深圳市达恩科技有限公司	MACOM
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更多CGHV1J025D-GP4供应商更新时间2025-10-8 13:40:00