CGH40010P数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF
CGH40010P规格书详情
描述 Description
Up to 6 GHz Operation16 dB Small Signal Gain at 2.0 GHz14 dB Small Signal Gain at 4.0 GHz13 W typical PSAT65 % Efficiency at PSAT28 V Operation
特性 Features
• Up to 6 GHz Operation
• 16 dB Small Signal Gain at 2.0 GHz
• 14 dB Small Signal Gain at 4.0 GHz
• 13 W typical PSAT
• 65 % Efficiency at PSAT
• 28 V Operation
应用 Application
• 2-Way Private Radio
• Broadband Amplifiers
• Cellular Infrastructure
• Test Instrumentation
• Class A; AB; Linear amplifiers suitable for OFDM; W-CDMA; EDGE; CDMA waveforms
技术参数
- 制造商编号
：CGH40010P
- 生产厂家
：MACOM
- Peak Output Power Range
：1 - 24 W
- Frequency Range
：General Purpose
- Technology
：GaN on SiC
- Frequency (Min)
：DC
- Frequency (Max)
：6 GHz
- Peak Output Power
：10 W
- Gain
：14 dB\>>14 dB
- Efficiency
：65%
- Operating Voltage
：28 V
- Form
：Packaged Discrete Transistor
- Package Type
：Pill
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CREE |
高频 |
25 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | |||
CREE(科锐) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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CREE |
2021+ |
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CREE |
23+ |
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原厂原装正品 |
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CREE(科锐) |
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CREE/科锐 |
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CREE |
25+ |
SMD |
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CREE |
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CREE |
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CREE |
24+ |
SMD |
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询价 |
