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CEU6030L	文件：83.21 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■30V,40A,RDS(ON)=15.5mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEU6031L	文件：121.59 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■30V,55A,RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=15mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEU6036L	文件：587.77 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V,118A,RDS(ON)=4.0mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=5.5mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
603	文件：518.44 Kbytes Page：3 Pages	2Aand5A/50Vdcand5A/250VdcDCSolid-StateRelays	WILLOW Willow Technologies Ltd	WILLOW
603	文件：464.15 Kbytes Page：4 Pages	횠5.0mmmountingRobustbrightnickelplatedbrasshousing	MARL Marl International Ltd	MARL
603	文件：126.56 Kbytes Page：2 Pages	FilterAdapter603	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司	3M
603F	文件：119.98 Kbytes Page：1 Pages	TwoTerminalMetalElementCurrentSense	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY	OHMITE
603FE	文件：119.98 Kbytes Page：1 Pages	TwoTerminalMetalElementCurrentSense	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY	OHMITE
603H	文件：119.98 Kbytes Page：1 Pages	TwoTerminalMetalElementCurrentSense	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY	OHMITE
603HE	文件：119.98 Kbytes Page：1 Pages	TwoTerminalMetalElementCurrentSense	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY	OHMITE
603J	文件：119.98 Kbytes Page：1 Pages	TwoTerminalMetalElementCurrentSense	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY	OHMITE
603JE	文件：119.98 Kbytes Page：1 Pages	TwoTerminalMetalElementCurrentSense	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY	OHMITE
A603ERU	文件：193.6 Kbytes Page：2 Pages	Single&DualOutput,6WUltra-WideInputRangeDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
AD603	文件：551.51 Kbytes Page：24 Pages	LowNoise,90MHzVariableGainAmplifier	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD603	文件：219.5 Kbytes Page：14 Pages	LowNoise,90MHzVariable-GainAmplifier GENERALDESCRIPTION TheAD603isalownoise,voltage-controlledamplifierforuseinRFandIFAGCsystems.Itprovidesaccurate,pin-selectablegainsof−11dBto+31dBwithabandwidthof90MHzor+9dBto51+dBwithabandwidthof9MHz.Anyintermediategainrangemaybearrangedusingon	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD603	文件：815.4 Kbytes Page：25 Pages	LowNoise,90MHzVariableGainAmplifier	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD603	文件：605.25 Kbytes Page：20 Pages	LowNoise,90MHzVariableGainAmplifier	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD603ACHIPS	文件：219.5 Kbytes Page：14 Pages	LowNoise,90MHzVariable-GainAmplifier GENERALDESCRIPTION TheAD603isalownoise,voltage-controlledamplifierforuseinRFandIFAGCsystems.Itprovidesaccurate,pin-selectablegainsof−11dBto+31dBwithabandwidthof90MHzor+9dBto51+dBwithabandwidthof9MHz.Anyintermediategainrangemaybearrangedusingon	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD603ACHIPS	文件：551.51 Kbytes Page：24 Pages	LowNoise,90MHzVariableGainAmplifier	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD603ACHIPS	文件：605.25 Kbytes Page：20 Pages	LowNoise,90MHzVariableGainAmplifier	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD

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详细参数

型号：
CEU603
制造商：
CET
制造商全称：
Chino-Excel Technology
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市凯斯宇科技有限公司	CEU6031L	CET	2022	TO252	2058	原厂原装正品,价格超越代理	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	CEU6031L	CET	23+	TO252	7000	绝对全新原装!100%保质量特价!请放心订购!	询价
深圳市一线半导体有限公司	CEU6031L	CET	03+	TO252	525		询价
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	CEU6031L	CET	23+	TO-263	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市鹏和科技有限公司	CEU6031L	CET	24+	TO-252-2	5000	只做原装公司现货	询价
深圳市佳鑫美电子科技有限公司	CEU6031L	CET	22+	TO-252	2987	只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电!	询价
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详细参数

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