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MTM12N10	文件：177.4 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTM12N10	文件：261.14 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.18Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTM12N10E	文件：177.4 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP12N10	文件：279.7 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.18Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP12N10E	文件：239.72 Kbytes Page：6 Pages	TMOSPOWERFET12AMPERES100VOLTSRDS(on)=0.16OHM	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP12N10E	文件：99.76 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTP12N10E	文件：99.75 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTP12N10L	文件：113.29 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
NTD12N10	文件：77.77 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET12Amps,100VoltsN?묬hannelEnhancement?묺odeDPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD12N10	文件：148.34 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET12Amps,100Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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技术参数

BVDSS(V)：
100
Rds(on)mΩ@10V：
175
Rds(on)mΩ@5V：
185
ID(A)：
11
Qg(nC)@10V(typ)：
12
RθJC(℃/W)：
3.5
Pd(W)：
43
Configuration：
Single
Polarity：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	CEU12N10L	CETSEMI	25+	TO-252	20300	CETSEMI原装特价CEU12N10L即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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