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GC20N65QD	文件：994.03 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheGC20N65QDusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GC20N65T	文件：2.63286 Mbytes Page：5 Pages	PowerFactorCorrection(PFC) Description TheGC20N65Tusesadvancedsuperjunctiontechnology anddesigntoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand operationwithlowgatevoltages.Thisdeviceissuitablefor industry’sAC-DCSMPSrequirementforPFC,AC/DCpower conversion,andindustrialpowerapplication. A	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
HM20N65F	文件：875.53 Kbytes Page：10 Pages	thesiliconN-channelEnhancedVDMOSFETs	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HMG20N65F	文件：1.10334 Mbytes Page：8 Pages	HighEfficiencyforMotorControl.	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HRH20N65ANF	文件：2.57068 Mbytes Page：11 Pages	650VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON≤0.42Ω@Vgs=10V,Id=10A UltraLowgateCharge(typical73nC) LowCrss(typical12pF) Fastswitchingcapability 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptiblePowerSupply(UPS) PowerFactorCorrection(PFC)(P	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
HRH20N65ANP	文件：2.57068 Mbytes Page：11 Pages	650VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON≤0.42Ω@Vgs=10V,Id=10A UltraLowgateCharge(typical73nC) LowCrss(typical12pF) Fastswitchingcapability 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptiblePowerSupply(UPS) PowerFactorCorrection(PFC)(P	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
HRH20N65ANV	文件：2.57068 Mbytes Page：11 Pages	650VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON≤0.42Ω@Vgs=10V,Id=10A UltraLowgateCharge(typical73nC) LowCrss(typical12pF) Fastswitchingcapability 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptiblePowerSupply(UPS) PowerFactorCorrection(PFC)(P	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
HRH20N65ANW	文件：2.57068 Mbytes Page：11 Pages	650VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON≤0.42Ω@Vgs=10V,Id=10A UltraLowgateCharge(typical73nC) LowCrss(typical12pF) Fastswitchingcapability 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptiblePowerSupply(UPS) PowerFactorCorrection(PFC)(P	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
HRH20N65ANX	文件：2.57068 Mbytes Page：11 Pages	650VN-ChannelPlanarMOSFET Features RDSON≤0.42Ω@Vgs=10V,Id=10A UltraLowgateCharge(typical73nC) LowCrss(typical12pF) Fastswitchingcapability 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability Applications SwitchModePowerSupply(SMPS) UninterruptiblePowerSupply(UPS) PowerFactorCorrection(PFC)(P	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
ICE20N65	文件：607.48 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	ICEMOS Icemos Technology	ICEMOS

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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