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HMG20N65F	文件：1.10334 Mbytes Page：8 Pages	High Efficiency for Motor Control. 文件：1.10334 Mbytes 页数：8 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HRH20N65ANF	文件：2.57068 Mbytes Page：11 Pages	650V N-Channel Planar MOSFET Features RDSON≤0.42Ω @Vgs=10V, Id=10A Ultra Low gate Charge(typical 73nC) Low Crss (typical 12pF) Fast switching capability 100% avalanche tested Improved dv/dt capability Applications Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) (P 文件：2.57068 Mbytes 页数：11 Pages	SY 顺烨电子	SY
HRH20N65ANP	文件：2.57068 Mbytes Page：11 Pages	650V N-Channel Planar MOSFET Features RDSON≤0.42Ω @Vgs=10V, Id=10A Ultra Low gate Charge(typical 73nC) Low Crss (typical 12pF) Fast switching capability 100% avalanche tested Improved dv/dt capability Applications Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) (P 文件：2.57068 Mbytes 页数：11 Pages	SY 顺烨电子	SY
HRH20N65ANV	文件：2.57068 Mbytes Page：11 Pages	650V N-Channel Planar MOSFET Features RDSON≤0.42Ω @Vgs=10V, Id=10A Ultra Low gate Charge(typical 73nC) Low Crss (typical 12pF) Fast switching capability 100% avalanche tested Improved dv/dt capability Applications Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) (P 文件：2.57068 Mbytes 页数：11 Pages	SY 顺烨电子	SY

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