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CEC3P07	文件：300 bytes Page：1 Pages	P Channel MOSFET	CET 华瑞	CET
CEC3P07A	文件：413.17 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -37A, RDS(ON) = 10mW @VGS = -10V. RDS(ON) = 15mW @VGS = -4.5V. Super High dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：413.17 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEC3P07A	文件：300 bytes Page：1 Pages	P Channel MOSFET	CET 华瑞	CET
CEZC3P07A	文件：860.47 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -37A, RDS(ON) = 10mW @VGS = -10V. RDS(ON) = 15mW @VGS = -4.5V. Super High dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：860.47 Kbytes 页数：6 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
RD3P07BBH	文件：2.9184 Mbytes Page：13 Pages	Nch 100V 80A Power MOSFET Features 1) Low on - resistance 2) High Power Package(TO-252) 3) Pb-free plating ; RoHS compliant 4) Halogen free Application Switching 文件：2.9184 Mbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RX3P07BBH	文件：2.95275 Mbytes Page：13 Pages	Nch 100V 80A Power MOSFET Features 1) Low on - resistance 2) High power small mold package (TO220AB) 3) Pb-free plating ; RoHS compliant 4) 100 UIS tested Application Switching 文件：2.95275 Mbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

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