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CEC2609

Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)

20V, 4.8A, RDS(ON) = 38mW @VGS = 4.5V. FEATURES RDS(ON) = 55mW @VGS = 2.5V. -20V, -3.0A, RDS(ON) = 100mW @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 145mW @VGS = -2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. S2

文件:680.64 Kbytes 页数:7 Pages

CET-MOS

华瑞

CEC2609

Dual N & P MOSFET

CET

华瑞

CED01N7

TO251

CED02N7G

TO251

CED02N9

TO251

技术参数

  • BVDSS(V):

    -20/20

  • Rds(on)mΩ@4.5V:

    100/38

  • Rds(on)mΩ@2.5V:

    145/55

  • ID(A):

    -3/4.8

  • Qg(nC)@4.5V(typ):

    2.9/3.6

  • RθJC(℃/W):

    30

  • Pd(W):

    1.31

  • Configuration:

    Dual

  • Polarity:

    NP

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