CED02N9规格书应用电路批发供应华瑞CET-MOS-114ic电子网

首页 >CED02N9>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
CED02N9	文件：641.87 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 900V, 2A, RDS(ON) = 6.8W @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RoHS compliant. 文件：641.87 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CED02N9	文件：1.54046 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.54046 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
CED02N9	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET	CET 华瑞	CET
CEF02N9	文件：1.24838 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.24838 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
CEF02N9	文件：623.18 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：623.18 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEP02N9	文件：397.17 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. 文件：397.17 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET

更多CED02N9供应商更新时间2025-10-11 9:04:00