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CE3512K2-C1	文件：758.2 Kbytes Page：8 Pages	12 GHz Super Low Noise FET in Hollow Plastic PKG 文件：758.2 Kbytes 页数：8 Pages	CEL	CEL
CE3512K2-C1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：4-Micro-X；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：RF FET 4V 12GHZ 4MICROX	CEL	CEL
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产品属性

产品编号：
CE3512K2-C1
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
pHEMT FET
频率：
12GHz
增益：
13.7dB
额定电流（安培）：
15mA
噪声系数：
0.5dB
功率 - 输出：
125mW
封装/外壳：
4-Micro-X
供应商器件封装：
4-Micro-X
描述：
RF FET 4V 12GHZ 4MICROX

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