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CE3512K2-C1分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
CE3512K2-C1 |
| 参数属性 | CE3512K2-C1 封装/外壳为4-Micro-X；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：RF FET 4V 12GHZ 4MICROX |
| 功能描述 | 12 GHz Super Low Noise FET in Hollow Plastic PKG |
| 封装外壳 | 4-Micro-X |
| 文件大小 |
758.2 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | California Eastern Labs |
| 企业简称 |
CEL |
| 中文名称 | California Eastern Labs官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-22 15:01:00 |
| 人工找货 | CE3512K2-C1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
CE3512K2-C1规格书详情
CE3512K2-C1属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由California Eastern Labs制造生产的CE3512K2-C1晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 产品编号：
CE3512K2-C1
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
pHEMT FET
- 频率：
12GHz
- 增益：
13.7dB
- 额定电流（安培）：
15mA
- 噪声系数：
0.5dB
- 功率 - 输出：
125mW
- 封装/外壳：
4-Micro-X
- 供应商器件封装：
4-Micro-X
- 描述：
RF FET 4V 12GHZ 4MICROX
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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