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CE3512K2分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

CE3512K2
厂商型号

CE3512K2

参数属性

CE3512K2 封装/外壳为4-Micro-X;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:RF FET 4V 12GHZ 4MICROX

功能描述

12 GHz Super Low Noise FET in Hollow Plastic PKG
RF FET 4V 12GHZ 4MICROX

封装外壳

4-Micro-X

文件大小

758.2 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 California Eastern Labs
企业简称

CEL

中文名称

California Eastern Labs官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-22 15:01:00

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CE3512K2规格书详情

CE3512K2属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由California Eastern Labs制造生产的CE3512K2晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    CE3512K2

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    pHEMT FET

  • 频率:

    12GHz

  • 增益:

    13.7dB

  • 额定电流(安培):

    15mA

  • 噪声系数:

    0.5dB

  • 功率 - 输出:

    125mW

  • 封装/外壳:

    4-Micro-X

  • 供应商器件封装:

    4-Micro-X

  • 描述:

    RF FET 4V 12GHZ 4MICROX

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