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CE3512K2	文件：758.2 Kbytes Page：8 Pages	12 GHz Super Low Noise FET in Hollow Plastic PKG	CEL California Eastern Laboratories	CEL
CE3512K2	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：4-Micro-X 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：RF FET 4V 12GHZ 4MICROX	CEL California Eastern Laboratories	CEL
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产品属性

产品编号：
CE3512K2
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
pHEMT FET
频率：
12GHz
增益：
13.7dB
额定电流（安培）：
15mA
噪声系数：
0.5dB
功率 - 输出：
125mW
封装/外壳：
4-Micro-X
供应商器件封装：
4-Micro-X
描述：
RF FET 4V 12GHZ 4MICROX

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	CE3512K2	CEL	24+	4-Micro-X	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
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更多CE3512K2供应商更新时间2024-6-7 17:18:00

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