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CE3512K2-C1 分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 射频 CEL
- 详细信息
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原厂料号:CE3512K2-C1品牌:CEL
只做原装,实单最低价支持
CE3512K2-C1是分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。制造商CEL生产封装N/A/4-Micro-X的CE3512K2-C1晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 类型
描述
- 产品编号:
CE3512K2-C1
- 制造商:
CEL
- 类别:
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
pHEMT FET
- 频率:
12GHz
- 增益:
13.7dB
- 额定电流(安培):
15mA
- 噪声系数:
0.5dB
- 功率 - 输出:
125mW
- 封装/外壳:
4-Micro-X
- 供应商器件封装:
4-Micro-X
- 描述:
RF FET 4V 12GHZ 4MICROX
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