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CE3512K2-C1 分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 射频 CEL

CE3512K2-C1参考图片

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原厂料号:CE3512K2-C1品牌:CEL

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CE3512K2-C1是分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。制造商CEL生产封装N/A/4-Micro-X的CE3512K2-C1晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

  • 芯片型号:

    CE3512K2-C1

  • 规格书:

    下载 下载2

  • 企业简称:

    CEL详情

  • 厂商全称:

    California Eastern Laboratories

  • 内容页数:

    8 页

  • 文件大小:

    758.2 kb

  • 资料说明:

    12 GHz Super Low Noise FET in Hollow Plastic PKG

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    CE3512K2-C1

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    pHEMT FET

  • 频率:

    12GHz

  • 增益:

    13.7dB

  • 额定电流(安培):

    15mA

  • 噪声系数:

    0.5dB

  • 功率 - 输出:

    125mW

  • 封装/外壳:

    4-Micro-X

  • 供应商器件封装:

    4-Micro-X

  • 描述:

    RF FET 4V 12GHZ 4MICROX

供应商

  • 企业:

    深圳市华康联电子科技有限公司

  • 商铺:

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    高先生

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