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NUP1301LM	文件：952.82 Kbytes Page：7 Pages	Marking：CDD；Package：SOT-23；Low Capacitance TVS Diode Array	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
74LVC1G3208MDBVTEP	文件：972.25 Kbytes Page：16 Pages	Marking：CDD5M；Package：SOT；SINGLE 3-INPUT POSITIVE OR-AND GATE 1FEATURES •Supports5-VVCCOperation •InputsAcceptVoltagesto5.5V •Maxtpdof5nsat3.3V •LowPowerConsumption,12.5-μAMaxICC •±24-mAOutputDriveat3.3V •InputHysteresisAllowsSlowInputTransition andBetterSwitchingNoiseImmunityatthe Input (Vhys=250mVTypa	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
PCDD0465G1	文件：296.12 Kbytes Page：5 Pages	Marking：CDD0465；Package：TO-252AA；Silicon Carbide Schottky Barrier Diode Features TemperatureIndependentSwitchingBehavior HighSurgeCurrentCapability PositiveTemperatureCoefficientonVF LowConductionLoss ZeroReverseRecovery Highjunctiontemperature175oC LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC612	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PCDD0465GB	文件：439.83 Kbytes Page：5 Pages	Marking：CDD0465B；Package：TO-252AA；Silicon Carbide Schottky Barrier Diode Features TemperatureIndependentSwitchingBehavior HighSurgeCurrentCapability CompetitiveVF1.3Vatratedcurrent LowConductionLoss ZeroReverseRecovery Highjunctiontemperature175oC LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
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PCDD0665G1	文件：296.08 Kbytes Page：5 Pages	Marking：CDD0665；Package：TO-252AA；Silicon Carbide Schottky Barrier Diode Features TemperatureIndependentSwitchingBehavior HighSurgeCurrentCapability PositiveTemperatureCoefficientonVF LowConductionLoss ZeroReverseRecovery Highjunctiontemperature175oC LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC612	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PCDD0665GB	文件：440.05 Kbytes Page：5 Pages	Marking：CDD0665B；Package：TO-252AA；Silicon Carbide Schottky Barrier Diode Features TemperatureIndependentSwitchingBehavior HighSurgeCurrentCapability CompetitiveVF1.3Vatratedcurrent LowConductionLoss ZeroReverseRecovery Highjunctiontemperature175oC LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PCDD08120G1	文件：297.26 Kbytes Page：5 Pages	Marking：CDD08120V；Package：TO-252AA；Silicon Carbide Schottky Barrier Diode Features TemperatureIndependentSwitchingBehavior HighSurgeCurrentCapability PositiveTemperatureCoefficientonVF LowConductionLoss ZeroReverseRecovery Highjunctiontemperature175oC LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC612	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
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PCDD0865GB	文件：440.57 Kbytes Page：5 Pages	Marking：CDD0865B；Package：TO-252AA；Silicon Carbide Schottky Barrier Diode Features TemperatureIndependentSwitchingBehavior HighSurgeCurrentCapability CompetitiveVF1.3Vatratedcurrent LowConductionLoss ZeroReverseRecovery Highjunctiontemperature175oC LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard App	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

详细参数

型号：
CDD
功能描述：
DIOD MOD DUAL 800V 100A
RoHS：
是
类别：
半导体模块 >> 二极管，整流器
系列：
-
标准包装：
10
系列：
- 电压 - 在 If
时为正向(Vf)（最大）：
1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr
时反向漏电：
15µA @ 400V 电流 -
平均整流(Io)（每个二极管）：
30A 电压
-(Vr)（最大）：
400V
反向恢复时间(trr)：
65ns
二极管类型：
标准
速度：
快速恢复 = 200mA（Io）
二极管配置：
2 个独立式
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
ISOTOP
供应商设备封装：
ISOTOP?
包装：
管件

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