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FMB857B	文件：100.1 Kbytes Page：2 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMB857B	文件：329.93 Kbytes Page：23 Pages	256MbF-dieDDRSDRAMSpecification	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
FZT857	文件：142.05 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONPLANARHIGHCURRENT(HIGHPERFORMANCE)TRANSISTOR FEATURES Upto3.5Ampscontinuouscollectorcurrent,upto5Amppeak VCEO=300V Verylowsaturationvoltage Excellenthspecifiedupto3Amps	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FZT857	文件：39.43 Kbytes Page：3 Pages	SOT223NPNSILICONPLANARHIGHCURRENT(HIGHPERFORMANCE)TRANSISTOR	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FZT857	文件：46.14 Kbytes Page：3 Pages	SOT223NPNSILICONPLANARHIGHCURRENT Features •BVCEO>300V •IC=3.5AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=5APeakPulseCurrent •VeryLowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FZT857	文件：40.61 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlanarHighCurrentTransistor Features ●Upto3.5Ampscontinuouscollectorcurrent,upto5Amppeak ●VCEO=300V ●Verylowsaturationvoltage ●ExcellenthFEspecifiedupto3Amps	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FZT857	文件：446.2 Kbytes Page：7 Pages	300VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FZT857QTA	文件：446.2 Kbytes Page：7 Pages	300VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FZT857QTA	文件：322.84 Kbytes Page：7 Pages	300VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT223 Features •BVCEO>300V •IC=3.5AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=5APeakPulseCurrent •VeryLowSaturationVoltageVCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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更多CDCVF857DGGR其他被动元件供应商更新时间2025-7-29 20:00:00

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