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FMB857B分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

FMB857B

参数属性

FMB857B 封装/外壳为SOT-23-6 细型,TSOT-23-6;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 45V 0.5A SUPERSOT-6

功能描述

256Mb F-die DDR SDRAM Specification

封装外壳

SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

文件大小

329.93 Kbytes

页面数量

23

生产厂商

SAMSUNG

中文名称

三星

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数据手册

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更新时间

2026-2-2 9:29:00

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产品属性

  • 产品编号:

    FMB857B

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    650mV @ 5mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    15nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    220 @ 2mA,5V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

  • 供应商器件封装:

    SuperSOT™-6

  • 描述:

    TRANS PNP 45V 0.5A SUPERSOT-6

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