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CY2310ANZ	文件：300.63 Kbytes Page：15 Pages	3.3VSDRAMBufferforMobilePCswith4SO-DIMMs	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY2310ANZ	文件：187.74 Kbytes Page：8 Pages	3.3VSDRAMBufferforMobilePCswith4SO-DIMMs	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CZRB2310	文件：66.93 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountZenerDiodes	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
DDS2310	文件：432.27 Kbytes Page：2 Pages	FullyAutomaticDieSeparator	DISCODISCO Corporation 迪斯科公司	DISCO
DMN2310U	文件：603.67 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowGateThresholdVoltage FastSwitchingSpeed ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveapplicationsrequiringspecificchangecontrol (i.e.partsqualifiedtoAEC-Q100/1	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2310UFD	文件：631.15 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowOn-Resistance VeryLowGateThresholdVoltage LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveapplicationsrequiringspecific	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2310UT	文件：708.57 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage Ultra-SmallSurfaceMountPackage ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveap	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2310UTQ	文件：605.12 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage Ultra-SmallSurfaceMountPackage ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) Halogen-andAntimony-Free.“Green”Device(Note3) Forautomotivea	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2310UW	文件：362.53 Kbytes Page：7 Pages	20VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features •LowOn-Resistance •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •Halogen-andAntimony-Free.“Green”Device(Note3) •Forautomotiveapplicationsrequiringspecificchangecontrol(i.e.partsqualifiedtoAEC-Q100/101/200	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2310UWQ	文件：545.13 Kbytes Page：7 Pages	20VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) TheDMN2310UWQissuitableforautomotiveapplications requiringspecificchangecontrol;thispartis	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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产品属性

产品编号：
CDCVF2310MPWEP
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 时钟缓冲器，驱动器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
扇出缓冲器（分配）
电路数：
1
比率 - 输入：
1：10
差分 - 输入：
无/无
输入：
LVTTL
输出：
LVTTL
电压 - 供电：
2.3V ~ 3.6V
工作温度：
-55°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
24-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装：
24-TSSOP
描述：
CDCVF2310MPWEP

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