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HY1804U	文件：1.50495 Mbytes Page：12 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微电华羿微电子股份有限公司	HUAYI
HY1804U	文件：883.75 Kbytes Page：12 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features 40V/80A, RDS(ON)=4.0m2(typ.)@VGs=10V AvalancheRated ReliableandRugged LeadFreeandGreenDevicesAvailable (RoHSCompliant)	HOOYIHOOYI SEMICONDUCTOR 后羿半导体西安后羿半导体科技有限公司	HOOYI
KTC1804	文件：407.74 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(HIGHCURRENTSWITCHING) HIGHCURRENTSWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowCollectorEmitterSaturationVoltage. :VCE(sat)=0.4V(Max.)(IC=4A) •HighCurrentandHighfT :IC=8A,fT=180MHz. •ExcellentLinearityofhFE •HighSpeedSwitchingTime. :fT=20nS(Typ.) •ComplementarytoKTA1204D/L APPLICAT	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTC1804D	文件：407.74 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(HIGHCURRENTSWITCHING) HIGHCURRENTSWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowCollectorEmitterSaturationVoltage. :VCE(sat)=0.4V(Max.)(IC=4A) •HighCurrentandHighfT :IC=8A,fT=180MHz. •ExcellentLinearityofhFE •HighSpeedSwitchingTime. :fT=20nS(Typ.) •ComplementarytoKTA1204D/L APPLICAT	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTC1804D	文件：282.63 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=60V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=0.4V(Max)@IC=4A APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KTC1804L	文件：407.74 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(HIGHCURRENTSWITCHING) HIGHCURRENTSWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowCollectorEmitterSaturationVoltage. :VCE(sat)=0.4V(Max.)(IC=4A) •HighCurrentandHighfT :IC=8A,fT=180MHz. •ExcellentLinearityofhFE •HighSpeedSwitchingTime. :fT=20nS(Typ.) •ComplementarytoKTA1204D/L APPLICAT	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTC1804L	文件：301.69 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=60V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=0.4V(Max)@IC=4A APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
LT1804	文件：401.32 Kbytes Page：20 Pages	Single/Dual/Quad100V/ms,85MHz,Rail-to-RailInputandOutputOpAmps	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LT1804	文件：407.25 Kbytes Page：20 Pages	Single/Dual/Quad100V/s,85MHz,Rail-to-RailInputandOutputOpAmps	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LT1804	文件：752.67 Kbytes Page：26 Pages	180MHz,1mAPowerEfficientRail-to-RailI/OOpAmps FEATURES APPLICATIONS nGainBandwidthProduct:180MHz n–3dBFrequency(AV=1):120MHz nLowQuiescentCurrent:1mAMax nHighSlewRate:90V/μs nInputCommonModeRangeIncludesBothRails nOutputSwingsRail-to-Rail nLowBroadbandVoltageNoise:4.2nV/√Hz nPower-DownMode:42μA n	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD

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产品属性

产品编号：
CDCM1804RTHR
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 时钟缓冲器，驱动器
包装：
卷带（TR）
类型：
扇出缓冲器（分配），除法器，多路复用器
电路数：
1
比率 - 输入：
1：4
差分 - 输入：
是/是
输入：
CML，HSTL，LVDS，LVPECL，LVTTL，SSTL-2，VML
输出：
LVCMOS，LVPECL
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
24-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
24-VQFN（4x4）
描述：
IC CLK BUFFER 1

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更多CDCM1804RTHR供应商更新时间2025-7-29 15:07:00

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